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相对过饱和度越大,均相成核的晶核就越多,越不利于生成晶形沉淀。()
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相对过饱和度越大,均相成核的晶核就越多,越不利于生成晶形沉淀。()
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相关问题:
下列哪一项不是晶形沉淀的沉淀条件?()
Fe(OH)3通常是无定形沉淀,但是可以通过均匀沉淀法获得Fe(OH)3晶形沉淀。
为控制溶液中晶核生成的数量,可控制实验条件,减小()的发生
机械力化学可以促进物质发生晶型转变,如粉碎ZrO2单斜晶形转变为四方晶系
当晶核长大时,随过冷度的增加,晶核的长大速率增大。但是过冷度很大时,晶核
在较低过饱和度(亚稳区)时投入一定重量和大小的相同溶质的晶粒,由于受晶浆
促进结晶形成的方法有()。
奥氏体的形成过程,是形核和晶核长大同时进行的过程。
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Ta老师-周边问题
1.
晶圆切割在晶圆制造中属于后道工序
2.
晶圆片尺寸不断加大,圆片厚度相应增加。
3.
磨片可以去掉圆片背后的氧化物,保证芯片焊
4.
晶圆片的厚度就是芯片电路层的厚度。
5.
硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广
6.
下面哪些属于芯片的贴装方法?
7.
下列材料中属于硬质焊料的是()
8.
焊接粘结中,软质焊料一般包括:
9.
在芯片贴装中()的尺寸要与晶粒的尺寸相匹配
10.
集成电路的获得需要经历哪些过程:
11.
芯片贴装中晶粒座焊盘的尺寸要与()的尺寸相
12.
在芯片贴装方法中,高分子胶或树脂粘贴法
13.
在导电胶粘结法中,加入()作为导电材料,加入()
14.
纳米是长度单位,单位是nm.一纳米相当于1000微
15.
微电子技术以集成电路为核心的技术。
16.
集成电路封装的功能包括:
17.
下面说法正确的是:
18.
从结构方面,集成电路的封装形式包括()
19.
摩尔定律描述了集成电路晶体管的数量每()个
20.
摩尔定律是()年由()提出的
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