Talaoshi navigation
Ta老师题库
首页
综合题库
学历职业
医卫类
公务员
IT类
题库一
题库二
题库三
题库四
建筑工程
财会金融类
所有栏目
综合题库
学历职业
医卫类
公务员
IT类
题库一
题库二
题库三
题库四
建筑工程
财会金融类
健康问答
健康问答2
健康问答3
健康问答4
健康问答5
职业资源
面试题
继续教育
技能鉴定
日记大全
说说大全
知识库
语录大全
故事大全
健康养生
口号大全
中医百科
胎教
亲子
怀孕
心理
Ta老师题库
Ta老师搜题
首页
>
题库三
>
问题
地层岩石的孔隙度不包括()
11 查阅
地层岩石的孔隙度不包括()
A.线孔隙度
B.点孔隙度
C.体孔隙度
D.面孔隙度
点击查看答案
参考答案:
答案:点孔隙度
Ta老师搜题
相关问题:
影响孔隙度的因素不包括()
岩石的骨架越硬,岩石孔隙的压缩系数就()
岩石的孔隙度越高,岩石孔隙的压缩系数就()
岩石孔隙的压缩系数比岩石骨架的压缩系数()
若孔隙度为0.2,岩石孔隙的压缩系数比骨架压缩系数()
地层压力的单位是()
若流体压力为10MPa,骨架应力为30MPa,地层的孔隙度为0.2,地层的上覆压力则
1000m深处的实测地层压力为22MPa,地层压力为()
随便看看:
健康养生
亲子
胎教
孕妇健康
中药百科
心理
Ta老师-周边问题
1.
以下对于硅的化学性质描述正确的是()
2.
以下对于硅材料特性的描述正确的是()
3.
形成P型硅的掺杂剂是()
4.
以下与硅单晶的晶体结构相同的晶体有()
5.
以下对于硅材料的性质的描述正确的是()
6.
CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性
7.
区熔法可以生长熔点极高的晶体。
8.
生长硅晶体最常用的方法是直拉法(Czochral
9.
液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长
10.
SiC可以用熔体生长法。
11.
生长非常高熔点的氧化物(如:钇铝石榴石)一般
12.
目前生长半导体体单晶最常见的方法是()
13.
以下熔体生长法生长晶体描述正确的是()
14.
硅晶体和锗晶体的晶体结构相同,均为金刚石
15.
在体系中存在外来质点(比如尘埃、固体颗粒
16.
晶体生长时,体系的自由能随着晶核半径的增
17.
晶体生长过程中,只有达到一定的过冷度时,才
18.
以下对于晶体生长的方法描述错误的是()
19.
以下对于非均匀形核的描述错误的是()
20.
以下对于粗糙界面和光滑界面描述正确的是
版权所有,保留一切权利!© 2018-2023
Ta老师
Talaoshi.com
湘ICP备18019507号-1
联系QQ:469958。