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液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长过程中杂质的引入。
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液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长过程中杂质的引入。
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硅晶体掺杂的杂质在室温下可认为全部电离,电阻率与掺杂浓度呈反比关系。
硅材料本身是没有电活性的,可以通过掺杂杂质原子降低电阻率。
半导体硅的性能对于杂质非常敏感,一般通过提纯硅和有目的的掺杂来实现对
区熔可以重复多次,使杂质尽量被集中在头尾两端,提纯中部的材料,且熔区越长
硅中的一些主要的杂质比如C和O的分凝系数都大于1.
不可能存在于直拉硅中的杂质和缺陷有()
以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是()
以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是()
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