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晶体生长过程中,只有达到一定的过冷度时,才能自发进行熔-固相转变。
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晶体生长过程中,只有达到一定的过冷度时,才能自发进行熔-固相转变。
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晶体生长时,体系的自由能随着晶核半径的增加而增加。
硅晶体和锗晶体的晶体结构相同,均为金刚石结构。
以下熔体生长法生长晶体描述正确的是()
液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长过程中杂质的引入。
生长硅晶体最常用的方法是直拉法(Czochralski)。
区熔法可以生长熔点极高的晶体。
以下与硅单晶的晶体结构相同的晶体有()
硅晶体的最密排面是{111}面,第一解离面是{110}面。
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