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下边说法不正确的是（）。

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下边说法不正确的是（）。

A.单元格不能删除

B.单元格中的内容能删除

C.单元格中的格式能删除

D.单元格的宽度能改变

参考答案:

答案：A

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    1.
    以下对于硅材料的性质的描述正确的是（）
    2.
    CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性
    3.
    区熔法可以生长熔点极高的晶体。
    4.
    生长硅晶体最常用的方法是直拉法（Czochral
    5.
    液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长
    6.
    SiC可以用熔体生长法。
    7.
    生长非常高熔点的氧化物（如：钇铝石榴石）一般
    8.
    目前生长半导体体单晶最常见的方法是（）
    9.
    以下熔体生长法生长晶体描述正确的是（）
    10.
    硅晶体和锗晶体的晶体结构相同，均为金刚石
    11.
    在体系中存在外来质点（比如尘埃、固体颗粒
    12.
    晶体生长时，体系的自由能随着晶核半径的增
    13.
    晶体生长过程中，只有达到一定的过冷度时，才
    14.
    以下对于晶体生长的方法描述错误的是（）
    15.
    以下对于非均匀形核的描述错误的是（）
    16.
    以下对于粗糙界面和光滑界面描述正确的是
    17.
    以下对于晶体生长描述正确的是（）
    18.
    在光伏领域，硅材料是应用最为广泛的半导体
    19.
    为了保证利用电活性掺杂剂准确控制载流子
    20.
    半导体的导电特性与金属相同。
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