2. 首页 > 题库三 >
  2. 问题

包装材料和运载工具在冷间内终止降温时的温度，一般为该冷间的设计温度。

9 查阅

包装材料和运载工具在冷间内终止降温时的温度，一般为该冷间的设计温度。

A.正确

B.错误

参考答案:

答案：A

相关问题:
  • 自外库调入的已包装货物，其包装材料和运载工具的温度应为该货物进入冷间
  • 制冷装置设计计算时，以（）作为室外计算温度。（）
  • 冷却间的空库保温温度按（）计算。（）
  • 冰鲜鱼虾整理后的温度按（）计算。（）
  • 计算操作管理耗冷量时，室外空气比焓值确定使用的温度为（）。
  • 确定邻室计算温度时，邻室计算温度应取其规定温度的冷间包括（）。
  • （）的进货温度，按当地食品进入冷间生产旺月的月平均温度计算。（）
  • 烷烃分子各构象之间的转换总是处于动态平衡之中，各种构象一般不能分离。
    • 随便看看:
  • 健康养生
  • 亲子
  • 胎教
  • 孕妇健康
  • 中药百科
  • 心理

    • Ta老师-周边问题

    1.
    硅的同质外延生长的原理是用氢气还原硅的
    2.
    外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法，衬底
    3.
    以下不是外延硅的主要缺陷（）
    4.
    以下对于非晶硅薄膜描述错误的是（）
    5.
    以下对于硅外延生长描述不正确的是（）
    6.
    以下抑制自掺杂的方法不正确的是（）
    7.
    直拉硅中的金属杂质必须避免，它们扩散很快
    8.
    氢可以钝化硅晶体中的氧沉淀、位错和金属
    9.
    直拉硅晶体中的氢杂质一般是故意引入，一般
    10.
    直拉晶体的掺杂技术有共熔法和投杂法。
    11.
    直拉硅晶体过程中会引入各种杂质，有些杂质
    12.
    以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的
    13.
    以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的
    14.
    以下对于重掺磷技术的难点描述错误的是（）
    15.
    直拉硅单晶的发展呈现大尺寸大直径的趋势
    16.
    可以通过晶锭外侧的生产条纹和小平面来判
    17.
    在直拉硅晶体时最后的收尾是为了防止位错
    18.
    掺锗、氮，重掺硼的籽晶具有高强度。
    19.
    Dash缩颈成功生长了无位错直拉硅，但是使得
    20.
    以下对于直拉生长描述错误的是（）
    版权所有,保留一切权利！© 2018-2023 Ta老师 Talaoshi.com 湘ICP备18019507号-1 联系QQ:469958。