以下对于硅外延生长描述不正确的是()
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以下对于硅外延生长描述不正确的是()
A.不同的晶向生长速率不同,对于硅而言,<100>生长速率最快
B.温度影响硅外延生长速率,温度越高外延层的生长速率越高
C.气体和载体的比例影响硅外延生长的速率,存在一个最佳比例生长速率最高
D.生长速率随着气体流量的增加而增大
参考答案:
以下对于硅外延生长描述不正确的是()
A.不同的晶向生长速率不同,对于硅而言,<100>生长速率最快
B.温度影响硅外延生长速率,温度越高外延层的生长速率越高
C.气体和载体的比例影响硅外延生长的速率,存在一个最佳比例生长速率最高
D.生长速率随着气体流量的增加而增大
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