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向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（）。

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向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（）。

A.内部多数载流子类型为自由电子

B.外加电场作用下，多子与少子的漂移电流方向相反

C.内部多数载流子类型为空穴

D.外加电场作用下，多子与少子的漂移电流方向一致

参考答案:

答案：内部多数载流子类型为自由电子；外加电场作用下，多子与少子的漂移电流方向一致

相关问题:
  • 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要和（）有很大关系。
  • 杂质半导体内部多数载流子为掺入的杂质，少数载流子为本征激发产生的电子
  • 本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现，而复合又使得自由电子
  • 由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量自由电子载流子
  • PN结上的扩散电流是由半导体通过掺杂得到的载流子定向移动引起的，即掺杂
  • 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
  • 少子是由本征激发所产生的，所以对光照和温度敏感。
  • 杂质离子不能移动，因此不是载流子。
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