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在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要和()有很大关系。
7 查阅
在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要和()有很大关系。
A.光照
B.温度
C.掺杂类型与浓度
D.热辐射
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参考答案:
答案:光照;温度;热辐射
Ta老师搜题
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杂质半导体内部多数载流子为掺入的杂质,少数载流子为本征激发产生的电子
本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现,而复合又使得自由电子
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PN结上的扩散电流是由半导体通过掺杂得到的载流子定向移动引起的,即掺杂
当瓦斯浓度<5或>15%时,有明火存在时会发生燃烧事故。
当瓦斯浓度为9.5%时,爆炸时产生的瞬间温度可达1850-2650℃。
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