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杂质半导体内部多数载流子为掺入的杂质，少数载流子为本征激发产生的电子与空穴。

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杂质半导体内部多数载流子为掺入的杂质，少数载流子为本征激发产生的电子与空穴。

A.正确

B.错误

参考答案:

答案：错误

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