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向本征半导体内掺入三价元素产生的杂质半导体，（）。

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向本征半导体内掺入三价元素产生的杂质半导体，（）。

A.内部多数载流子类型为空穴

B.因为多子为空穴，整体带正电

C.整体呈电中性

D.内部多数载流子类型为自由电子

参考答案:

答案：内部多数载流子类型为空穴；整体呈电中性

相关问题:

在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要和（）有很大关系。

杂质半导体内部多数载流子为掺入的杂质，少数载流子为本征激发产生的电子

本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现，而复合又使得自由电子

由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量自由电子载流子

外电场作用下，半导体材料内部空穴的顺电场漂移运动实际上是临近共价键中

PN结上的扩散电流是由半导体通过掺杂得到的载流子定向移动引起的，即掺杂

杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

杂质半导体中，存在自由电子和空穴两种带电粒子。

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