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问题
磁铁截面要远大于霍尔元件,以尽可能的减小()影响,提高测量精确度。
9 查阅
磁铁截面要远大于霍尔元件,以尽可能的减小()影响,提高测量精确度。
A.温差效应
B.附加效应
C.气体吸附效应
D.边缘效应
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参考答案:
答案:边缘效应
Ta老师搜题
相关问题:
磁铁之间的间隙越小,()就越大,霍尔传感器灵敏度就越高。
应使霍尔位置传感器的探头处于两块磁铁的正中间偏上的位置,这样测量数据
霍尔元件一般采用()材料。
霍尔电势差与位移量之间存在一一对应关系,当位移量2mm,这一对应关系具有
霍尔位置传感器定标前,应先将霍尔传感器调整到零输出位置,这时可调节电磁
请确定本节实验课霍尔电势的方向?
两磁铁间隙中心位置A的霍尔电势为多少?
霍尔传感器灵敏度KH的单位是?
随便看看:
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Ta老师-周边问题
1.
正常工作的BJT,输出特性曲线分三个区域,它
2.
BJT正常放大时,发射结一定是()
3.
三个引脚电流中有效值最大的是()
4.
三个引脚电流中,发射极电流的实际方向与()极
5.
发射区与()区是同种类型的半导体。
6.
BJT的三个区,()的掺杂浓度最低
7.
下面说法正确的有:()A.图解分析法,可以用于求
8.
下面说法正确的有:()A.估算法,可以用于求静态
9.
静态工作点的求解方法有图解分析法和小信
10.
场效应管的特性曲线有输入特性和输出特性
11.
下面说法正确的有()A.对于NMOS管共源放大电
12.
场效应管的静态工作点由哪些参数决定。
13.
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=
14.
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=
15.
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=
16.
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=
17.
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=
18.
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=
19.
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=
20.
已知放大电路中一只MOS三个极S、G.D的电
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