下面说法正确的有（）A.对于NMOS管共源放大电路，vo波形底部失真为饱和失真，是由于工作轨迹进入了可变电阻区。

8 查阅

B.对于NMOS管共源放大电路，vo波形底部失真为截止失真，是由于工作轨迹进入了截止区。

C.对于NMOS管共源放大电路，vo波形底部失真为饱和失真，是由于工作轨迹进入了饱和区。

D.对于NMOS管共源放大电路，vo波形底部失真为截止失真，是由于工作轨迹进入了击穿区。

E.对于NMOS管共源放大电路，vo波形顶部失真为饱和失真，是由于工作轨迹进入了可变电阻区。

F.对于NMOS管共源放大电路，vo波形顶部失真为截止失真，是由于工作轨迹进入了截止区。

G.对于NMOS管共源放大电路，vo波形双向失真因为输入信号幅度过大，是由于工作轨迹同时进入了可变电阻区和截止区。

H、对于NMOS管共源放大电路，vo波形双向失真因为输入信号幅度过大，是由于工作轨迹同时进入了饱和区和截止区。

参考答案:

答案：对于NMOS管共源放大电路，vo波形底部失真为饱和失真，是由于工作轨迹进入了可变电阻区。；对于NMOS管共源放大电路，vo波形顶部失真为截止失真，是由于工作轨迹进入了截止区。；对于NMOS管共源放大电路，vo波形双向失真因为输入信号幅度过大，是由于工作轨迹同时进入了可变电阻区和截止区。