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测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=1V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。

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测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=1V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。

A.预夹断临界点

B.饱和区（恒流区、放大工作区）

C.可变电阻区

D.截止区

参考答案:

答案：预夹断临界点

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场效应管的静态工作点由哪些参数决定。

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静态工作点的求解方法有图解分析法和小信号模型分析法。

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