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问题
在N型半导体中参与导电的多数载流子是自由电子。
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在N型半导体中参与导电的多数载流子是自由电子。
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在杂质半导体中,多数载流子的数量取决于掺杂浓度。
在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要和()有很大关系。
杂质半导体内部多数载流子为掺入的杂质,少数载流子为本征激发产生的电子
本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现,而复合又使得自由电子
由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量自由电子载流子
PN结上的扩散电流是由半导体通过掺杂得到的载流子定向移动引起的,即掺杂
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。
杂质半导体中,存在自由电子和空穴两种带电粒子。
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