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下列关于能带结构的说法中，错误的是（）。

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下列关于能带结构的说法中，错误的是（）。

A.硅是间接带隙半导体

B.禁带宽度具有负的温度系数

C.室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV

D.位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负

参考答案:

答案：室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV

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