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由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。

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由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。

A.集电结势垒电容

B.集电结扩散电容

C.发射结势垒电容

D.发射结扩散电容

参考答案:

答案：集电结扩散电容

相关问题:

少子在晶体管基区停留的平均时间为τb，但进入基区的少子必须经过一定的

双极型晶体管的集电极延迟时间是由集电结扩散电容的充放电引起的。（）

为减小BJT集电极延迟时间常数，可通过减小集电极串联电阻和集电极电容。（）

由于有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。

在晶体管T型等效电路中，高频情况下，集电极电阻远大于集电极势垒电容等效

晶体管工作在低频时，混合π形等效电路中集电结和发射结电容都可忽略。

晶体管工作在中频时，混合π形等效电路中集电结和发射结电容都不可忽略。

（）可以改变电感式传感器的电容。

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