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由于有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。

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由于有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。

A.集电结势垒电容

B.集电结扩散电容

C.发射结势垒电容

D.发射结扩散电容

参考答案:

答案：集电结扩散电容

相关问题:
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  • 晶体管工作在低频时，混合π形等效电路中集电结和发射结电容都可忽略。
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