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由于有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。

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由于有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。

A.集电结势垒电容

B.集电结扩散电容

C.发射结势垒电容

D.发射结扩散电容

参考答案:

答案：集电结扩散电容

相关问题:

在晶体管T型等效电路中，高频情况下，集电极电阻远大于集电极势垒电容等效

晶体管工作在低频时，混合π形等效电路中集电结和发射结电容都可忽略。

晶体管工作在中频时，混合π形等效电路中集电结和发射结电容都不可忽略。

（）可以改变电感式传感器的电容。

电容式传感器电容器容量小，输出阻抗高。

触摸屏逐渐由电容式触摸屏转移至电阻式。

电容式传感器可以测量深度、角度。

变间隙式电容传感器的非线性误差与极板间初始距离d0之间是（）。

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