Talaoshi navigation
Ta老师题库
首页
综合题库
学历职业
医卫类
公务员
IT类
题库一
题库二
题库三
题库四
建筑工程
财会金融类
所有栏目
综合题库
学历职业
医卫类
公务员
IT类
题库一
题库二
题库三
题库四
建筑工程
财会金融类
健康问答
健康问答2
健康问答3
健康问答4
健康问答5
职业资源
面试题
继续教育
技能鉴定
日记大全
说说大全
知识库
语录大全
故事大全
健康养生
口号大全
中医百科
胎教
亲子
怀孕
心理
Ta老师题库
Ta老师搜题
首页
>
题库三
>
问题
在求解薛定谔方程时,只有引入(n,l,m,ms)四个量子数求得的波函数才有物理意义。
9 查阅
在求解薛定谔方程时,只有引入(n,l,m,ms)四个量子数求得的波函数才有物理意义。
A.正确
B.错误
点击查看答案
参考答案:
答案:错误
Ta老师搜题
相关问题:
在多电子原子轨道中,主量子及角量子数越大,轨道能级越高。
每一个原子中的原子轨道需要有3个量子数才能具体确定,而每一个电子则需
波函数的角度分布图形与主量子数无关。
主量子数为n对应的亚层轨道能量一定大于主量子数为n-1的亚层轨道的能量
非生长相关型,细胞生长进入稳定期后,才有产物形成,因此,产物生成与微生物细
一个历史学家要努力克服自己身上民族、种族、宗教、党派、性别、意识形
运动时只有出汗了才有效。
响应度和量子效率表征了光电二极管的光电转换效率。
随便看看:
健康养生
亲子
胎教
孕妇健康
中药百科
心理
Ta老师-周边问题
1.
This graph indicates that the cellular
2.
Helium plasma is injected from this ch
3.
Two typical spectra which recorded the
4.
The treatments by low-ultraviolet plas
5.
our innovation to the standard plasma
6.
For these reasons, it is crucial to ha
7.
硅片键合技术主要是由于吸附在被氧化的两
8.
目前SOI材料的主流制备技术是注氧隔离技
9.
硅的同质外延生长的原理是用氢气还原硅的
10.
外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法,衬底
11.
以下不是外延硅的主要缺陷()
12.
以下对于非晶硅薄膜描述错误的是()
13.
以下对于硅外延生长描述不正确的是()
14.
以下抑制自掺杂的方法不正确的是()
15.
直拉硅中的金属杂质必须避免,它们扩散很快
16.
氢可以钝化硅晶体中的氧沉淀、位错和金属
17.
直拉硅晶体中的氢杂质一般是故意引入,一般
18.
直拉晶体的掺杂技术有共熔法和投杂法。
19.
直拉硅晶体过程中会引入各种杂质,有些杂质
20.
以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的
版权所有,保留一切权利!© 2018-2023
Ta老师
Talaoshi.com
湘ICP备18019507号-1
联系QQ:469958。