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跨导反映了场效应管的栅源电压对漏极电流的控制能力,其单位为mS(毫西门子)。
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跨导反映了场效应管的栅源电压对漏极电流的控制能力,其单位为mS(毫西门子)。
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测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=1V,VGS=2V,VTN=1V;其中VTN为增强
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