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51单片机的堆栈指针SP始终是指向堆栈的底部

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51单片机的堆栈指针SP始终是指向堆栈的底部

A.正确

B.错误

参考答案:

答案：错误

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  • 当单片机的EA脚接高电平时，只能访问片内ROM,不能访问片外ROM.
  • 下列选项中，正确定义单片机I/O口的语句为
  • 单片机内部位寻址区的位地址的范围是
  • 51单片机内部RAM中有多少个工作寄存器组
  • 下载程序至单片机ROM时选择的文件后缀名为
  • 51单片机内部RAM中的每个工作寄存器组包含多少个寄存器单元
  • 定义单片机中断函数时使用的关键字包括：
  • 51单片机的中断源包括（）个外部中断，（）个内部中断
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    1.
    用均匀沉淀法沉淀Ca2+时，应向含Ca2+的酸性
    2.
    下列哪一项不是无定形沉淀的沉淀条件？（）
    3.
    下列哪一项不是晶形沉淀的沉淀条件？（）
    4.
    杂质离子与构晶离子的半径相近、电荷相同
    5.
    对于Fe3+和Fe2+，BaSO4沉淀更易吸附的是Fe3
    6.
    对于Cl-和NO3-，BaSO4沉淀更易吸附的是Cl-
    7.
    相对过饱和度越大，均相成核的晶核就越多，越
    8.
    生成沉淀时，若聚集速度大于定向速度，则得到
    9.
    用BaSO4重量法测定Ba2+时，BaSO4表面吸附了
    10.
    用BaSO4重量法测定SO42-时，BaSO4表面吸附
    11.
    解决后沉淀的方法是（）
    12.
    若溶液中存在能够生成混晶的杂质离子，避免
    13.
    一般而言，无定形沉淀颗粒的粒径约为（）
    14.
    一般而言，晶形沉淀颗粒的粒径约为（）
    15.
    同一种沉淀，晶体颗粒越大，溶解度越大；晶体颗
    16.
    由于酸效应的影响，当溶液的pH降低时，弱酸盐
    17.
    已知AgCl和Ag2CrO4的溶度积分别是1.8×10
    18.
    已知AgCl、AgSCN、AgBr、AgI的溶度积分别
    19.
    弱电解质（如HgCl2）在水溶液中解离不完全，因
    20.
    强电解质在水溶液中解离较完全，因此其固有
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