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问题
能同时启动内源和外源性凝血途径引起DIC的是()
10 查阅
能同时启动内源和外源性凝血途径引起DIC的是()
A.羊水栓塞
B.急性早幼粒细胞白血病
C.广泛创伤
D.大型手术
E.严重感染
点击查看答案
参考答案:
答案:D
Ta老师搜题
相关问题:
中性粒细胞受损致DIC的原因是()
可损伤血管内皮细胞,触发凝血系统,导致DIC,不符合的是()
恶性肿瘤晚期容易并发DIC,无关的是()
内毒素引起DIC发生的可能机制,错误的是()
妊娠末期妇女胎盘早剥或羊水栓塞易发生DIC可能机制,错误的是()
不会导致血管内外液体交换失衡的是()
水肿对机体的影响,叙述不正确的是()
关于病理生理学说法正确的是:
随便看看:
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Ta老师-周边问题
1.
金属与N型半导体形成阻挡层,满足()
2.
已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻
3.
考虑镜像力后,金属半导体接触的势垒高度将
4.
连续性方程所描述的物理现象包括()。
5.
假设其它条件不变,可以通过()降低半导体材料
6.
在某温度范围内,一定掺杂的硅的电阻率随温
7.
决定半导体的载流子迁移率的因素有()。
8.
半导体中载流子的电输运包括()。
9.
电子迁移率通常高于空穴迁移率,这是由于电
10.
对于某均匀掺杂的半导体,若当体内某处电场
11.
下列关于硅的电子电导率的描述正确的是()。
12.
对于工作在强电场下(达到速度饱和)的本征半
13.
电子的漂移电流的方向,与()相同。
14.
陷阱中心的存在会增加少子寿命。
15.
对于掺杂浓度一定的Si半导体材料,温度越高
16.
浅受主能级也能成为有效的复合中心。
17.
本征载流子浓度随着温度的升高而()
18.
对于GaAs半导体材料,小注入时样品在()中寿命
19.
P型半导体中往往存在()陷阱
20.
若某半导体在价带中发现空穴的几率为零,则
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