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在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（）。

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在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（）。

A.电离杂质散射为主

B.晶格散射为主

C.本征激发起主要作用

D.杂质完全电离

参考答案:

答案：晶格散射为主；杂质完全电离

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