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以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（）。

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以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（）。

A.采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb

B.降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子

C.减小发射结和集电结面积以减小电容

D.适当降低集电区电阻率和厚度

参考答案:

答案：降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子

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