2. 首页 > 题库三 >
  2. 问题

关于清创缝合，下列哪项不正确？

8 查阅

关于清创缝合，下列哪项不正确？

A.一般可在伤口内做局部浸润麻醉

B.仅有皮肤或皮下裂开者可做单层缝合

C.伤口污染较重者，皮肤缝线可暂不结扎，24小时后无感染再行结扎

D.清除污物、异物，切除失活组织，彻底止血

E.患者处于休克状态时先行急救治疗

参考答案:

答案：一般可在伤口内做局部浸润麻醉

相关问题:
  • 清创术仅适用于清洁伤口
  • 伤口感染者不宜行清创缝合术
  • 清创术中在进行伤口的清洗时一般用无菌生理盐水冲洗伤口，并用无菌小纱布
  • 手术区皮肤消毒范围，应包括切口周围（）
  • 皮肤消毒的注意事项以下哪项不正确（）
  • 皮肤消毒的一般顺序是（）
  • 颏神经出颏孔后，其分支分布于下颌前牙和第一、二前磨牙的唇颊侧牙龈及下
  • 止血带应直接绑在出血部位的皮肤上，更有利于止血。
    • 随便看看:
  • 健康养生
  • 亲子
  • 胎教
  • 孕妇健康
  • 中药百科
  • 心理

    • Ta老师-周边问题

    1.
    隧道效应引起肖特基势垒高度的变化量随（）的
    2.
    N型半导体形成的肖特基势垒二极管，其正向
    3.
    金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外
    4.
    在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底（功函
    5.
    金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外
    6.
    肖特基势垒二极管是一种（）载流子器件
    7.
    半导体的功函数定义为真空能级E0和（）之差
    8.
    金属与N型半导体形成阻挡层，满足（）
    9.
    已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻
    10.
    考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将
    11.
    连续性方程所描述的物理现象包括（）。
    12.
    假设其它条件不变，可以通过（）降低半导体材料
    13.
    在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温
    14.
    决定半导体的载流子迁移率的因素有（）。
    15.
    半导体中载流子的电输运包括（）。
    16.
    电子迁移率通常高于空穴迁移率，这是由于电
    17.
    对于某均匀掺杂的半导体，若当体内某处电场
    18.
    下列关于硅的电子电导率的描述正确的是（）。
    19.
    对于工作在强电场下（达到速度饱和）的本征半
    20.
    电子的漂移电流的方向，与（）相同。
    版权所有,保留一切权利！© 2018-2023 Ta老师 Talaoshi.com 湘ICP备18019507号-1 联系QQ:469958。