在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧,氧化层厚0.2μm时,结深是多少?(湿氧速率很快,短时间的氧化可忽略磷向硅内部的推进)

7 查阅

在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧,氧化层厚0.2μm时,结深是多少?(湿氧速率很快,短时间的氧化可忽略磷向硅内部的推进)

A.0.088μm

B.0.712μm

C.0.512μm

D.0.6μm

参考答案:

答案:0.712μm