在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧,氧化层厚0.2μm时,结深是多少?(湿氧速率很快,短时间的氧化可忽略磷向硅内部的推进)
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在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧,氧化层厚0.2μm时,结深是多少?(湿氧速率很快,短时间的氧化可忽略磷向硅内部的推进)
A.0.088μm
B.0.712μm
C.0.512μm
D.0.6μm
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