LPCVD-SiO2,将工艺控制在较高温度,有:kshg,此时淀积速率的特点为:
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LPCVD-SiO2,将工艺控制在较高温度,有:kshg,此时淀积速率的特点为:
A.温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响;
B.淀积速率受气相质量输运控制;
C.淀积速率受表面化学反应控制;
D.反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
参考答案:
LPCVD-SiO2,将工艺控制在较高温度,有:kshg,此时淀积速率的特点为:
A.温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响;
B.淀积速率受气相质量输运控制;
C.淀积速率受表面化学反应控制;
D.反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
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