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为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法：

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为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法：

A.磁控溅射

B.反应溅射

C.电阻蒸镀

D.LPCVD

E.射频溅射

F.PECVD

参考答案:

答案：磁控溅射；射频溅射

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    2.
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    3.
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    4.
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    5.
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    6.
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    7.
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    8.
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    9.
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    10.
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    12.
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    13.
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    14.
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    15.
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    16.
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    17.
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    18.
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    19.
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    20.
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