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关于管家基因表达描述最确切的是（）

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关于管家基因表达描述最确切的是（）

A.在生物个体的所有细胞中表达

B.在生物个体全生命过程的几乎所有细胞中持续表达

C.在生物个体全生命过程的部分细胞中持续表达（）

D.在特定环境下的生物个体全生命过程的所有细胞中持续表达

E.在特定环境下的生物个体全生命过程的部分细胞中持续表达

参考答案:

答案：在生物个体全生命过程的几乎所有细胞中持续表达

相关问题:
  • 下列不属于细胞间信息物质的是（）
  • 胞内受体介导的信号转导途径，其调节细胞代谢的主要方式是（）
  • 细胞间的信号转导步骤极为复杂，涉及的环节不包括（）
  • F因子从一个细胞转移到另一个细胞的基因中，此转移过程称（）（）
  • 将重组DNA导入受体细胞的方式有（）（）
  • 基因治疗时，下列哪种细胞不允许做靶细胞（）
  • 植物细胞中，细胞骨架组成了一个静态的网络。
  • 所有的植物细胞都具有胞间层、初生壁和次生壁。
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    1.
    陷阱中心的存在会增加少子寿命。
    2.
    对于掺杂浓度一定的Si半导体材料，温度越高
    3.
    浅受主能级也能成为有效的复合中心。
    4.
    本征载流子浓度随着温度的升高而（）
    5.
    对于GaAs半导体材料，小注入时样品在（）中寿命
    6.
    P型半导体中往往存在（）陷阱
    7.
    若某半导体在价带中发现空穴的几率为零，则
    8.
    对于掺杂浓度相同的下列半导体，工作温度最
    9.
    T0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电
    10.
    对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包
    11.
    下面（）过程属于间接复合的微观过程
    12.
    根据掺入的杂质类型以及数量，半导体可分为
    13.
    杂质能级的作用包括以下（）
    14.
    对应于直接能隙半导体，禁带宽度越大，发光波
    15.
    Si材料的主要复合机制是（）
    16.
    某Si半导体掺有2×10^17cm^-3的硼原子以
    17.
    对应于n型半导体，电子为（）
    18.
    某Si半导体掺有2×10^17cm^-3的硼原子以
    19.
    在纯Ge中掺入下列（）元素，Ge将变为p型半导体
    20.
    在纯Si中掺入下列（）元素，Si将变为n型半导体
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