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对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（）

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对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（）

A.掺入n型杂质

B.掺入p型杂质

C.本征激发

D.引入深能级

参考答案:

答案：掺入p型杂质；本征激发

“半导体中载流子的定量统计描述”测试题

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    6.
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    11.
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