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问题
能够确定异常血流的部位的超声诊断仪是()
8 查阅
能够确定异常血流的部位的超声诊断仪是()
A.脉冲多普勒显像仪
B.连续多普勒显像仪
C.P型超声诊断仪
D.多普勒组织成像
E.三维超声成像
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参考答案:
答案:A
Ta老师搜题
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能够能测量高速血流的速度的超声诊断仪是()
蓝、绿等色彩显示,然后叠加在B型超声图像的相应位置上的超声声诊断仪是()
在脉冲多普勒系统中可检测出的最高频移只能是脉冲重复频率的()
患者男,38岁,常规体检。超声检查示:膀胱呈类圆形,壁显示清晰光整,膀胱三角区
患者男,42岁,自诉常有排尿中断现象。超声检查示:膀胱呈类圆形,壁显示清晰光
患者男,65岁,常规体检。超声检查示:膀胱呈类圆形,壁显示清晰,靠膀胱右下壁可
患者男,45岁,常规体检。超声检查示:膀胱呈类圆形,可见一约2.3cm×4.5cm团块
男性患者,38岁,自诉排尿不畅。超声检查示:前列腺稍增大,轮廓尚清楚,内部可见
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1.
考虑镜像力后,金属半导体接触的势垒高度将
2.
连续性方程所描述的物理现象包括()。
3.
假设其它条件不变,可以通过()降低半导体材料
4.
在某温度范围内,一定掺杂的硅的电阻率随温
5.
决定半导体的载流子迁移率的因素有()。
6.
半导体中载流子的电输运包括()。
7.
电子迁移率通常高于空穴迁移率,这是由于电
8.
对于某均匀掺杂的半导体,若当体内某处电场
9.
下列关于硅的电子电导率的描述正确的是()。
10.
对于工作在强电场下(达到速度饱和)的本征半
11.
电子的漂移电流的方向,与()相同。
12.
陷阱中心的存在会增加少子寿命。
13.
对于掺杂浓度一定的Si半导体材料,温度越高
14.
浅受主能级也能成为有效的复合中心。
15.
本征载流子浓度随着温度的升高而()
16.
对于GaAs半导体材料,小注入时样品在()中寿命
17.
P型半导体中往往存在()陷阱
18.
若某半导体在价带中发现空穴的几率为零,则
19.
对于掺杂浓度相同的下列半导体,工作温度最
20.
T0K时,位于EF以上的能级,随着温度的升高,电
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