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关于技术伦理学的说法，错误的一项是（）

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关于技术伦理学的说法，错误的一项是（）

A.在伦理学基础上发展起来的新兴学科

B.以技术活动中的道德现象为研究对象

C.不涉及专业技术人员的道德问题

D.涉及现代技术本身带来的道德问题

参考答案:

答案：不涉及专业技术人员的道德问题

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    1.
    N沟道增强型MOSFET的开启电压为（）；P沟道增强
    2.
    MOSFET利用（）控制（），是（）器件。
    3.
    下列场效应管中，在栅源电压UGS=0时不存在
    4.
    作为放大器件工作时，N沟道耗尽型MOSFET的
    5.
    增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源
    6.
    N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＝-2V，
    7.
    P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＝-1V，
    8.
    已知MOS管的开启电压为VTN＝1V，当测量到它在
    9.
    作为放大器件使用时，NPN型BJT只能在正电源
    10.
    下列参数中，属于增强型MOSFET的参数有（）。
    11.
    与BJT相比，MOSFET具有哪些特点？（）
    12.
    下列场效应管中，栅源电压等于0时存在导电
    13.
    关于MOSFET的低频跨导gm，以下说法中正确的
    14.
    UGS=0时，不能工作在恒流区的场效应管是（）。
    15.
    三极管参数为PCM=800?mW， ICM=100?mA，UBR(C
    16.
    MOSFET用于放大时，工作在（）。
    17.
    当栅源电压为0V时，（）MOS管存在导电沟道，在正
    18.
    P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是（）
    19.
    处于放大状态的NPN三极管，其三个电极的电
    20.
    处于放大状态的PNP三极管，其三个电极的电
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