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当栅源电压为0V时，（）MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。

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当栅源电压为0V时，（）MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。

A.N沟道耗尽型

B.N沟道增强型

C.P沟道耗尽型

D.P沟道增强型

参考答案:

答案：N沟道耗尽型

相关问题:

小信号模型中所研究的电压、电流都是变化量，因此，不能用小信号模型来求静

作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。

增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。

设MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MO

设MOS管的VPN＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝-1V时，可以断定该

设MOS管的VTP＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝-3V，VGS＝-2V时，可以断定

可充当电压跟随器的是哪一种放大电路。（）

BJT具有放大作用的外部电压条件是发射结（），集电结（）。

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