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外国帝国主义和中国封建主义的联合统治,导致了近代中国经济落后和人民贫困。
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外国帝国主义和中国封建主义的联合统治,导致了近代中国经济落后和人民贫困。
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相关问题:
帝国主义列强不能灭亡和瓜分中国的根本原因是中华民族进行了不屈不挠的
战略进攻阶段,党组织的“百团大战”沉重打击了日本帝国主义。
()深受帝国主义和封建主义的压迫,因而能够在一定时期和一定程度上参加反帝
()年,帝国主义列强为争夺势力范围发动了第一次世界大战。
(),世界进入帝国主义和无产阶级革命时代。
鸦片战争以后,帝国主义列强通过()的侵略,使中国半殖民地化。
()是帝国主义统治中国和封建军阀实行专制统治的社会基础。
摧毁帝国主义和封建地主阶级反动统治的基础是凝聚()的革命力量。
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1.
具有不同的低频小信号模型。
2.
某NPN管电路中,测得BE之间的电压为0V,BC之
3.
在下列场效应管中,无原始导电沟道的为()。
4.
场效应管电路的分析方法与晶体管电路的分
5.
静态工作点的分析可以采用小信号模型。
6.
JFET外加的栅源电压应使栅源间的PN结(),目的
7.
场效应管的耗散功率大小受到管子最高工作
8.
跨导是一个与工作点无关的物理量。
9.
低频跨导是指静态工作点处漏极电流的微变
10.
从对沟道的影响来讲,开启电压和夹断电压属
11.
饱和漏极电流是增强型管的参数。
12.
对于MOSFET,根据栅源电压为0时是否存在导
13.
EMOS管存在导电沟道时,栅源电压必定大于零
14.
场效应管从结构上可分为两大类,即()和()。
15.
当栅源电压为0时,()管不可能工作在恒流区。
16.
在工程分析中,通常先用工程近似法进行静态
17.
图解分析法的缺点是分析问题的过程比较复
18.
当输入为()时,可利用H参数小信号模型对放大
19.
晶体管做为开关电路使用时,是工作在放大状
20.
NPN型硅晶体管工作于饱和状态时,集射之间
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