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P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是（）

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P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是（）

A.正值

B.负值

C.不确定

D.零值

参考答案:

答案：负值

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当栅源电压为0V时，（）MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的

下列场效应管中，栅源电压等于0时存在导电沟道的有（）。

P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：U

N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：U

作为放大器件工作时，N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压能用正向偏置。

下列场效应管中，在栅源电压UGS=0时不存在导电沟道的是（）。

N沟道增强型MOSFET的开启电压为（）；P沟道增强型MOSFET的开启电压为（）。

已知N沟道增强型MOSFET的开启电压为UGS(th)=1V，若管子的偏置电压为UGS=2

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