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晶体管在放大状态时，其电压偏置条件为（）。

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晶体管在放大状态时，其电压偏置条件为（）。

A.集电结正向偏置、发射结正向偏置

B.集电结正向偏置、发射结反向偏置

C.集电结反向偏置、发射结反向偏置

D.集电结反向偏置、发射结正向偏置

参考答案:

答案：集电结反向偏置、发射结正向偏置

相关问题:

双极型晶体管的电流是由（）运动形成的。

下列哪个式子正确的描述了晶体管的电流放大能力（）。

晶体管的发射区和集电区均为同种类型的半导体，所以发射极和集电极可以调

晶体管是（）器件。

管压降UCE增大，共发射极接法的晶体管的输入特性曲线（）。

晶体管的输出特性描述的是当（）为常数时，（）随（）变化的函数。

对于小功率晶体管，可以用UCE大于1V的一条输入特性曲线来取代UCE大于1V的

已知某晶体管UBE=0.7V，UCE=3V，则该管工作在（）区。

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