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GTR和MOSFET都是电流控制型器件。
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GTR和MOSFET都是电流控制型器件。
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相关问题:
P-MOSFET采用的是横向导电结构,因而具有大的电流容量。
三相交流电源给变频器供电时,其线电流的波形为正弦波。
在通电瞬间,变频器中滤波电容充电电流最大。
IGBT综合了P-MOSFET和GTR的优点,具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压
由于变频器通电瞬间的电容充电电流很大,因此限流电阻的功率至少200W以上
电流型变频器的逆变元件必须并联续流二极管。
ATV312的源型输入就是灌电流输入。
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