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意识能动性具体表现为（）

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意识能动性具体表现为（）

A.意识活动的目的性和计划性

B.意识活动的创造性

C.意识通过实践对客观世界的改造

D.意识对生理功能的影响

参考答案:

答案：意识活动的目的性和计划性；意识活动的创造性；意识通过实践对客观世界的改造；意识对生理功能的影响

相关问题:
  • 充分发挥意识的能动作用，就必须（）
  • 社会意识是指（）
  • 社会意识对社会存在能动的反作用，是社会意识相对独立性的突出表现。
  • 下列各组社会意识诸形式中，全部属于意识形态的是（）。
  • 资本主义意识形态中一以贯之的核心思想，主要是（）
  • （）左右，儿童就有了物主意识，开始表现出争抢玩具等行为。
  • 幼儿期无意识记占主要地位，有意识记开始出现。
  • 小学儿童开始有意识的参加集体活动。
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    1.
    假设其它条件不变，可以通过（）降低半导体材料
    2.
    在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温
    3.
    决定半导体的载流子迁移率的因素有（）。
    4.
    半导体中载流子的电输运包括（）。
    5.
    电子迁移率通常高于空穴迁移率，这是由于电
    6.
    对于某均匀掺杂的半导体，若当体内某处电场
    7.
    下列关于硅的电子电导率的描述正确的是（）。
    8.
    对于工作在强电场下（达到速度饱和）的本征半
    9.
    电子的漂移电流的方向，与（）相同。
    10.
    陷阱中心的存在会增加少子寿命。
    11.
    对于掺杂浓度一定的Si半导体材料，温度越高
    12.
    浅受主能级也能成为有效的复合中心。
    13.
    本征载流子浓度随着温度的升高而（）
    14.
    对于GaAs半导体材料，小注入时样品在（）中寿命
    15.
    P型半导体中往往存在（）陷阱
    16.
    若某半导体在价带中发现空穴的几率为零，则
    17.
    对于掺杂浓度相同的下列半导体，工作温度最
    18.
    T0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电
    19.
    对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包
    20.
    下面（）过程属于间接复合的微观过程
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