2. 首页 > 题库三 >
  2. 问题

过程的熵变与过程是否可逆无关。

6 查阅

过程的熵变与过程是否可逆无关。

A.正确

B.错误

参考答案:

答案：正确

相关问题:
  • 在传热过程中，能量的大小没有发生变化，因此没有功损失。
  • 体系发生相同的状态变化时可逆过程的热温商大于不可逆过程的热温商。
  • 节流过程的特征是（）
  • 气体进行的绝热做功膨胀是一个等熵过程。
  • 制冷循环是把热量从低温传到高温的过程，这个过程进行的前提条件是ΔS总
  • 流体通过喷管的膨胀过程是压力能和动能的相互转化过程。
  • 复演说由普莱尔提出，他认为个体心理发展是一系列或多或少复演种系进化历
  • 在产前发展过程中，对各种危险因素的影响最敏感的阶段是（）。
    • 随便看看:
  • 健康养生
  • 亲子
  • 胎教
  • 孕妇健康
  • 中药百科
  • 心理

    • Ta老师-周边问题

    1.
    电子迁移率通常高于空穴迁移率，这是由于电
    2.
    对于某均匀掺杂的半导体，若当体内某处电场
    3.
    下列关于硅的电子电导率的描述正确的是（）。
    4.
    对于工作在强电场下（达到速度饱和）的本征半
    5.
    电子的漂移电流的方向，与（）相同。
    6.
    陷阱中心的存在会增加少子寿命。
    7.
    对于掺杂浓度一定的Si半导体材料，温度越高
    8.
    浅受主能级也能成为有效的复合中心。
    9.
    本征载流子浓度随着温度的升高而（）
    10.
    对于GaAs半导体材料，小注入时样品在（）中寿命
    11.
    P型半导体中往往存在（）陷阱
    12.
    若某半导体在价带中发现空穴的几率为零，则
    13.
    对于掺杂浓度相同的下列半导体，工作温度最
    14.
    T0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电
    15.
    对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包
    16.
    下面（）过程属于间接复合的微观过程
    17.
    根据掺入的杂质类型以及数量，半导体可分为
    18.
    杂质能级的作用包括以下（）
    19.
    对应于直接能隙半导体，禁带宽度越大，发光波
    20.
    Si材料的主要复合机制是（）
    版权所有,保留一切权利！© 2018-2023 Ta老师 Talaoshi.com 湘ICP备18019507号-1 联系QQ:469958。