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由硅半导体构成的某理想MOS结构上外加电压时，已知在绝缘层与硅界面处存在超过体内多子浓度的空穴浓度，则可能的原因有（）。
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由硅半导体构成的某理想MOS结构上外加电压时，已知在绝缘层与硅界面处存在超过体内多子浓度的空穴浓度，则可能的原因有（）。
A.n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压
B.n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压
C.p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压
D.p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压
参考答案: