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平面双极型晶体管的实际工艺中，基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是（）。

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平面双极型晶体管的实际工艺中，基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是（）。

A.均匀分布

B.线性分布

C.高斯分布

D.余误差分布

参考答案:

答案：高斯分布

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考虑Early效应对双极型晶体管共基极连接使用的影响，以下说法中不正确的

双极型晶体管大注入时，将引起基区电导（）。

双极型晶体管的发射极和集电极是等效的，使用时可以互换不会影响晶体管的

双极型晶体管工作在线性区时可做开关使用，工作在饱和区时可做放大使用。

共基极连接使用的双极型晶体管没有电压放大作用，但是有电流和功率放大作

双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想

漂移晶体管的阻滞电场和加速电场是针对基区中的多子而言的。

对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻

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