2. 首页 > 题库三 >
  2. 问题

将空间分为弱度围合空间、中度围合空间以及强度围合空间三种类型的分类依据是？

9 查阅

将空间分为弱度围合空间、中度围合空间以及强度围合空间三种类型的分类依据是？

A.按使用者的流线

B.按水平界面对空间的围合程度

C.按垂直界面对空间的围合程度

D.按水平和垂直界面对空间的围合程度

参考答案:

答案：按垂直界面对空间的围合程度

相关问题:
  • 将两个以上的不同空间，放在相毗邻的位置上，其构成的相互关系称为？
  • “整个园林的主体部分为一个单一的大空间，建筑物围绕着整个空间的四周布
  • “以某个集中内向的院落空间为中心向四周辐射，产生出许多小的建筑庭院空
  • 某地基为粉质黏土，用分层总和法计算地基沉降时，若某一分层上下界面的自重
  • 用分层总和法计算某地基沉降时，若某一分层上下界面的附加应力分别为57kP
  • 运用分层总和法计算地基的沉降量时，将不同土性的土层分界面和地下水位面
  • 中国即将发射的载人空间站的名称是：（）
  • 未来几年将要启用的下一代空间望远镜的名称是（）空间望远镜。
    • 随便看看:
  • 健康养生
  • 亲子
  • 胎教
  • 孕妇健康
  • 中药百科
  • 心理

    • Ta老师-周边问题

    1.
    对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电
    2.
    半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增
    3.
    MIS结构的表面发生强反型时，其表面的导电
    4.
    MOS器件绝缘层中的可动电荷是（）
    5.
    对于非理想的MIS结构，当半导体功函数小于
    6.
    在MIS结构的金属栅极和半导体上加一变化
    7.
    硅肖特基二极管的特点（）
    8.
    欧姆接触有哪些实现的方式（）
    9.
    金属与N型半导体形成的整流接触，热电子发
    10.
    金属与N型半导体形成的整流接触，扩散理论
    11.
    隧道效应引起肖特基势垒高度的变化量随（）的
    12.
    N型半导体形成的肖特基势垒二极管，其正向
    13.
    金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外
    14.
    在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底（功函
    15.
    金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外
    16.
    肖特基势垒二极管是一种（）载流子器件
    17.
    半导体的功函数定义为真空能级E0和（）之差
    18.
    金属与N型半导体形成阻挡层，满足（）
    19.
    已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻
    20.
    考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将
    版权所有,保留一切权利！© 2018-2023 Ta老师 Talaoshi.com 湘ICP备18019507号-1 联系QQ:469958。