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    1.
    决定半导体的载流子迁移率的因素有（）。
    2.
    半导体中载流子的电输运包括（）。
    3.
    电子迁移率通常高于空穴迁移率，这是由于电
    4.
    对于某均匀掺杂的半导体，若当体内某处电场
    5.
    下列关于硅的电子电导率的描述正确的是（）。
    6.
    对于工作在强电场下（达到速度饱和）的本征半
    7.
    电子的漂移电流的方向，与（）相同。
    8.
    陷阱中心的存在会增加少子寿命。
    9.
    对于掺杂浓度一定的Si半导体材料，温度越高
    10.
    浅受主能级也能成为有效的复合中心。
    11.
    本征载流子浓度随着温度的升高而（）
    12.
    对于GaAs半导体材料，小注入时样品在（）中寿命
    13.
    P型半导体中往往存在（）陷阱
    14.
    若某半导体在价带中发现空穴的几率为零，则
    15.
    对于掺杂浓度相同的下列半导体，工作温度最
    16.
    T0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电
    17.
    对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包
    18.
    下面（）过程属于间接复合的微观过程
    19.
    根据掺入的杂质类型以及数量，半导体可分为
    20.
    杂质能级的作用包括以下（）
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