Ta老师题库

下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有

9 查阅

下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有

A.IGBT开关速度高于电力MOSFET

B.IGBT是电压驱动型器件

C.电力MOSFET存在二次击穿问题

D.IGBT具有擎住效应

参考答案:

答案：IGBT是电压驱动型器件；IGBT具有擎住效应

相关问题:

只有当浸提管内溶液液面的高度高于通气管高度时，浸提管内的溶液才能经虹

右搂膝拗步弓步搂推时上体右转，右脚向（）迈出一步成右弓步，左手屈回由（），向前推

绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。（）

从2006年开始，海淀区不含电力、热力碳排放总量呈逐年递增趋势。

按照儒家文化，“贫而无谄，富而无骄”的境界高于“贫而乐，富而好礼”。

如果经济增长的同时，温室气体排放量也增长，但经济增长率高于温室气体排放

专家的伦理义务高于普通百姓。

国家对空调采暖、制冷的室内温度实行控制制度。除特殊用途外，夏季室内空

随便看看:

版权所有,保留一切权利！© 2018-2023 Ta老师 Talaoshi.com 湘ICP备18019507号-1 联系QQ:469958。