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下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有

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下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有

A.IGBT开关速度高于电力MOSFET

B.IGBT是电压驱动型器件

C.电力MOSFET存在二次击穿问题

D.IGBT具有擎住效应

参考答案:

答案：IGBT是电压驱动型器件；IGBT具有擎住效应

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