氧化性气氛生成p型半导体,以下缺陷反应生成阳离子空位(Ma-yXb)型非化学计量化合物1/2O2=VFe’’+2h?+OO。()
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氧化性气氛生成p型半导体,以下缺陷反应生成阳离子空位(Ma-yXb)型非化学计量化合物1/2O2=VFe’’+2h?+OO。()
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B.错误
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