Talaoshi navigation
Ta老师题库
首页
综合题库
学历职业
医卫类
公务员
IT类
题库一
题库二
题库三
题库四
建筑工程
财会金融类
所有栏目
综合题库
学历职业
医卫类
公务员
IT类
题库一
题库二
题库三
题库四
建筑工程
财会金融类
健康问答
健康问答2
健康问答3
健康问答4
健康问答5
职业资源
面试题
继续教育
技能鉴定
日记大全
说说大全
知识库
语录大全
故事大全
健康养生
口号大全
中医百科
胎教
亲子
怀孕
心理
Ta老师题库
Ta老师搜题
首页
>
题库三
>
问题
锥度是指圆锥底圆半径与锥高之比。
10 查阅
锥度是指圆锥底圆半径与锥高之比。
A.正确
B.错误
点击查看答案
参考答案:
答案:B
Ta老师搜题
相关问题:
对于三相对称交流电源,其三相电压大小相等、相位互差120。三相对称负载
设计速度与运行速度是不同的,运行速度是指汽车在公路上的()行驶速度。
横净距是指视距线至()的法向距离。
耐药性是指
抗生素是指
生产物流流动的物品是指:
下列是指现代物流的是:
物流是指物品从供应地向接收地的流动过程,包括实体和虚拟的流动。
随便看看:
健康养生
亲子
胎教
孕妇健康
中药百科
心理
Ta老师-周边问题
1.
以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的
2.
以下对于重掺磷技术的难点描述错误的是()
3.
直拉硅单晶的发展呈现大尺寸大直径的趋势
4.
可以通过晶锭外侧的生产条纹和小平面来判
5.
在直拉硅晶体时最后的收尾是为了防止位错
6.
掺锗、氮,重掺硼的籽晶具有高强度。
7.
Dash缩颈成功生长了无位错直拉硅,但是使得
8.
以下对于直拉生长描述错误的是()
9.
在直拉硅生长过程中,熔体出现对流,以下对于
10.
不可能存在于直拉硅中的杂质和缺陷有()
11.
硅中的一些主要的杂质比如C和O的分凝系数
12.
熔区次数的选择可以根据经验公式得到:n=(1
13.
区熔可以重复多次,使杂质尽量被集中在头尾
14.
区熔硅可以在气氛中含氮来抑制微缺陷,增加
15.
区熔的熔区移动速度越小,提纯效果越好。
16.
区熔提纯利用分凝原理。
17.
硅烷法的成本低,但是安全性差。
18.
硅的化学提纯技术的区别主要是中间化合物
19.
半导体硅的性能对于杂质非常敏感,一般通过
20.
以下不是太阳能级多晶硅的制备方法的是()
版权所有,保留一切权利!© 2018-2023
Ta老师
Talaoshi.com
湘ICP备18019507号-1
联系QQ:469958。